想，如果引入强关联效应和特定的拓扑边界态，比如利用某些拓扑绝缘体材料的独特表面态，是否有可能在强无序背景下，依然诱导出甚至增强特定的量子隧穿效率？这是否能部分解释某些实验中观测到的理论模型尚未完全覆盖的反常低电阻平台现象？”